パワーアンプ、お待たせしています。予定スペックは次のとおりです。

パワーアンプ仕様
最大出力：80-100Wx2（8Ω）
歪率：0.01%以下（20-20KHｚ最大出力時）
SN比：120-130dB（IHF-A、最大出力時）
周波数特性：DC-1MHｚ～DC-3MHz（-3dB）
ミニタワー型

すべての項目は試作機の実測値に基づきますが、実際の出荷モデルでは最終的に多少変わる可能性はあります。

回路的には
初段：デュアルFET+カスコードブートストラップ
中段：差動+カスコード+カレントミラー
終段：3段ダーリントン
電圧増幅段：安定化電源
となります。
回路的には比較的凝った構成ですが、特に新規性の高いものは採用していません。正攻法でとことん突き詰めたような内容です。

回路定数、使用デバイス、基板パターニングの検討をこれでもかという程やりました。たとえば基板の配線パターンの最適化だけでも4,5回やって、高周波特性を改善してきました。これによって安定に高域までNFBがかかりF特、歪み率が向上します。

音質的には、情報量が圧倒的に多いのはプリアンプと同じですが、加えて低音が非常に締まって量感にも優れています。中高音の情報量と豊かで締まった低音で、全体のバランスも非常にいいと思います。

2月中にはデモ機を出せる様にしたいと考えています。
製品版のリリースは３月くらいなると思いますのでよろしくお願いいたします。